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高真空PECVD設備
產品型號：KJ-T1200-S5030-H
主要用途：廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。
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設備介紹
PECVD系統(tǒng)由管式爐，真空系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)等組成。PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。PECVD增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能，PECVD系統(tǒng)薄膜沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高等優(yōu)點。 等離子增強化學沉積系統(tǒng)廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。
產品優(yōu)勢
成品質量好PECVD具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點
沉積效果好等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜
薄膜應力大小可調可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小
技術參數
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產品名稱 |
高真空PECVD設備 |
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滑軌管式爐部分 |
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產品型號 |
KJ-T1200-S5030-H |
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爐管尺寸 |
Φ50mmX1600mm （其他尺寸可根據客戶需求定制） |
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爐管材質 |
石英管 |
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加熱區(qū) |
300mm（其他尺寸可根據客戶需求定制） |
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工作溫度 |
≤1100℃ |
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最高溫度 |
1200℃ |
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溫控方式 |
N型熱電偶 |
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控制方式 |
觸屏控制，帶獨立搖臂，可以根據實際使用需求，調節(jié)溫控屏的角度，使用更方便 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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溫控保護 |
具有超溫和斷偶保護功能 |
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升溫速率 |
建議≤10ºC/min |
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加熱元件 |
含鉬電阻絲 |
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爐膛材料 |
氧化鋁多晶纖維 |
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爐體結構 |
爐體帶滑軌，可實現快速升溫和降溫 |
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法蘭接頭 |
標配配有兩個不銹鋼真空法蘭，已安裝機械壓力表和不銹鋼截止閥 |
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密封系統(tǒng) |
該爐爐管與法蘭之間采用硅膠O型圈擠壓密封、撤卸方便、可重復撤卸，氣密性好。 |
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殼體 |
不銹鋼殼體 |
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選配 |
輔助降溫風扇 |
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真空系統(tǒng)部分 |
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名稱 |
真空系統(tǒng) |
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主要參數 |
1.采用進口安捷倫高真空分子泵組，極限真空度可達10-3pa 2.KF25快接，不銹鋼波紋管，手動擋板閥與法蘭，真空泵相連； 3.數字式真空顯示，測量精度高 |
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氣路系統(tǒng)部分 |
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名稱 |
四路質量流量計 |
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主要參數 |
四通道精密質量流量計：觸屏控制，數字顯示，自動控制。 4個不銹鋼針閥安裝在供氣系統(tǒng)的左側，可手動控制4種氣體； 進出氣口：3進1出 流量控制：手動旋轉式調節(jié) |
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等離子電源部分 |
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名稱 |
500W等離子電源 |
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售后服務 |
質保一年，終身保修（耗材類：高溫密封圈、爐管、加熱元件等不屬于質保范圍） |
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主要產品有箱式馬弗爐、管式電阻爐、真空爐、氣氛爐、坩堝爐、CVD系統(tǒng)、牙科爐、升降爐、軌道爐、臺車爐、退火爐、升降爐等標準及非標實驗電爐和工業(yè)電爐，并提供各類電爐配件、加熱元件及耐火材料。
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