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CVD 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品型號：KJ-TCVD1100-S60CK1
主要用途：CVD?管式爐系統(tǒng)由：管式爐加熱區(qū)系統(tǒng)，質(zhì)子流量計供氣系統(tǒng)，真空系統(tǒng)和氣體定量系統(tǒng)組成。適用于 CVD 工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO 納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結(jié)等實驗。
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設(shè)備介紹
CVD 成長系統(tǒng)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng)，它由真空管式爐，多通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成。CVD真空系統(tǒng)可選配分子泵系統(tǒng)或旋片泵系統(tǒng)，真空度高； 多路氣源混合系統(tǒng)可選配浮子流量計或質(zhì)子流量計，量程范圍大，控制精度高； 本系列化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)另有多種功能接受客戶要求定制。該cvd設(shè)備適用于 CVD 工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO 納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結(jié)等實驗。
產(chǎn)品優(yōu)勢
耐高溫節(jié)能爐膛爐膛采用多晶陶瓷纖維材料，保溫性能好，拉伸強(qiáng)度高，無雜球，純度高，節(jié)能效果明顯優(yōu)于其他纖維材料
爐體安全防燙設(shè)計爐體采用雙層內(nèi)膽式結(jié)構(gòu)，中間有氣隙隔離，即使?fàn)t膛溫度達(dá)到最高點， 爐體表面仍然可以安全觸摸無滾燙感覺
加熱狀態(tài)便于觀察爐體配有輸出電壓和輸出電流監(jiān)測表，爐子加熱狀態(tài)一目了然
多重安全防護(hù)功能超溫報警并斷電，漏電保護(hù)，操作安全可靠具有多重防護(hù)功能
快速升降溫功能帶滑道，可滑動爐膛，實現(xiàn)快速升溫或冷卻功能
智能化PID微電腦溫控智能化 30 段 PID?微電腦可編程自動控制，溫控精度可達(dá)±1℃
技術(shù)參數(shù)
| 產(chǎn)品名稱 | CVD 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) |
| 產(chǎn)品型號 | KJ-TCVD1100-S60CK1 |
| 管式加熱系統(tǒng) | |
| 滑道 | 帶滑道，可滑動爐膛，實現(xiàn)快速升溫或冷卻功能 |
| 加熱區(qū)長度 | 400mm 單溫區(qū) （其他尺寸可按客戶需求定制） |
| 爐管尺寸 | 60mm x(1200~1400mm) 外徑 x 長 （其他尺寸可按客戶需求定制） |
| 爐管材質(zhì) | 高純石英管 |
| 工作溫度 | ≤ 1100℃ |
| 溫控系統(tǒng) | 智能化 30 段 PID 微電腦可編程自動控制 |
| 溫控精度 | ±1℃ (具有超溫及斷偶報警功能) |
| 加熱速率 | 建議 0~10℃/min |
| 加熱元件 | 電阻絲 |
| 可通氣體 | 氮氣、氬氣等惰性氣體 |
| 測溫元件 | N型熱電偶 |
| 殼體結(jié)構(gòu) | 雙層殼體結(jié)構(gòu)帶風(fēng)冷系統(tǒng) |
| 真空法蘭 | 法蘭一端帶 1/4”卡套接頭進(jìn)氣口，另一端帶控壓閥,氣動泄壓閥和放氣閥。 |
| 供氣系統(tǒng) |
四路精密質(zhì)子流量計：測量精度： ±1% F.S. 流量 范圍: : 0~200 sccm (按客戶要求 ) 流量 范圍: : 0~200 sccm (按客戶要求) 流量 范圍: : 0~200 sccm (按客戶要求） 流量 范圍: : 0~500 sccm (按客戶要求) 通過觸屏來調(diào)節(jié)氣體流量 |
| 真空系統(tǒng) | 旋片泵，真空度在空爐冷態(tài)可達(dá) 1pa， 真空計：數(shù)顯真空計實時顯示真空度，精度高。 |
| 氣體定量系統(tǒng) | 整體可以控制壓力范圍 -20kpa 到 20 kpa (相對壓力) |
| 自動化控制觸摸屏 | 觸摸屏界面集成控制爐子，爐子部分需要先設(shè)好溫度時間曲線。集成控制部分可以控制溫度曲線的啟停，真空度，氣體流量,泄壓閥等。 |
化學(xué)氣相沉積所用的反應(yīng)體系必須滿足以下三個條件：
1、在沉積溫度下，反應(yīng)物必須有足夠高的蒸汽壓。假如反應(yīng)物在室溫下全部為氣態(tài)，沉積裝置就比較簡單;假如反應(yīng)物在室溫下?lián)]發(fā)性很小，就需要對其加熱，使其揮發(fā)，而且一般還要用運(yùn)載氣體把它帶入反應(yīng)室，這樣反應(yīng)源到反應(yīng)室的管道也需要加熱，以防止反應(yīng)氣體在管道中冷凝下來。
2、反應(yīng)的生成物，除了所需要的沉積物為固態(tài)薄膜外，其余都必須是氣態(tài)。
3、沉積薄膜的蒸汽壓應(yīng)足夠低，以保證在整個沉積反應(yīng)過程中，沉積的薄膜能維持在具有一定溫度的基體上。基體材料在沉積溫度下的蒸汽壓也必須足夠低。
化學(xué)氣相沉積的原理：
化學(xué)氣相沉積技術(shù)是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝，它大致包含三步：
(1)形成揮發(fā)性物質(zhì)
(2)把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域；
(3)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì)。
基本的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)包括熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)以及化學(xué)傳輸反應(yīng)等集中。
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